半导体材料大爆发，发出强国最强音

　　大家都知道，半导体材料属于我们国家卡脖子的产品，不是我们造不出来，而是我们起步太晚，不过我们从没停下脚步，正在大跨步的前进。

        6月17日午间，外媒突然传出消息，中国将加强对美国的芯片竞争，支持芯片研发和制造项目，包括拟定一系列相关金融和政策扶持措施，帮助国内芯片制造商。据报道，该计划已预留约1万亿美元的政府资金，其中一部分将由中央和地方政府共同投资一系列第三代芯片项目，项目内容还包括发展中国大陆本土芯片设计软件和极紫外光(EUV)光刻机。尽管目前还没有得到官方证实，但是资本市场已经开始反应，受消息刺激，当天半导体指数大涨6.9%，作为本次政策的核心，第三代半导体受到普遍关注。

　　技术突破的新路径

　　第三代半导体中的“代”指的是半导体衬底材料的变化，并非指某一代更优。，我们粗略介绍过半导体的产业链，主要包括IC设计、晶圆制造及加工、封装及测试环节，如果我们再向上游延伸，那么还可以加上衬底和外延环节，其中衬底就是芯片的底层材料。

　　第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗(Ge)半导体材料，兴起于二十世纪五十年代，被广泛的应用于消费电子、通信、光伏、军事以及航空航天等多个领域。目前，硅材料依然占据绝对主导地位，大多数的半导体器件及集成电路产品还是使用硅晶圆来制造，硅器件占到了全球销售的半导体产品的 95%以上。

　　第二代半导体材料是以砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)为主的化合物半导体，其主要被用于制作高频、高速以及大功率电子器件，主要应用于卫星通讯、移动通讯以及光通讯等领域。

　　第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为化合物半导体。在高温、高耐压以及承受大电流等多个方面具备明显的优势，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，主要用于光电子器件、电力电子器件，和微波射频器件。而对于在低功耗场景使用更广泛的数字芯片来说，采用第三代半导体材料SiC和GaN不仅意义不大，还增加成本，所以数字芯片一直沿用一代半导体即硅基材料，同时，基于线宽缩小的技术迭代路线有望在2022年突破2nm，接近物理极限，而第三代半导体技术升级主要依靠新设计、新工艺和新材料的结合，是后摩尔时代半导体技术突破的新路径。