计算机存储器的分类
存储器分类
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1楼
电脑存储器分类、RAM(Random Access Memory随机存取存储器) RAM特点：电脑开机时操作系统和应用程序所有正运行数据和程序都会放置其并且随时对存放里面数据进行修改和存取工作需要由持续电力提供旦系统断电存放里面所有数据和程序都会自动清空掉并且再也无法恢复 根据组成元件同RAM内存又分下十八种： 01.DRAM（DynamicRAM动态随机存取存储器） 普通RAM电子管与电容器组成位存储单元DRAM每内存位作电荷保存位存储单元用电容充放电来做储存动作因电容本身有漏电问题因此必须每几微秒要刷新次否则数据会丢失存取时间和放电时间致约2~4ms因成本比较便宜通常都用作计算机内主存储器 02.SRAM（StaticRAM静态随机存取存储器） 静态指内存里面数据长驻其而需要随时进行存取每6颗电子管组成位存储单元因没有电容器因此无须断充电即正常运作因此比般动态随机处理内存处理速度更快更稳定往往用来做高速缓存 03.VRAM（VideoRAM视频内存） 主要功能显卡视频数据输出数模转换器有效降低绘图显示芯片工作负担采用双数据口设计其数据口并行式数据输出入口另串行式数据输出口多用于高级显卡高档内存 04.FPM DRAM（FastPage Mode DRAM快速页切换模式动态随机存取存储器） 改良版DRAM大多数72Pin或30Pin模块传统DRAM存取BIT数据时必须送出行地址和列地址各次才能读写数据而FRM DRAM触发了行地址CPU需要地址同行内则连续输出列地址而必再输出行地址了由于般程序和数据内存排列地址连续种情况下输出行地址连续输出列地址得所需要数据FPM记忆体内部隔成许多页数Pages从512B数KB等读取连续区域内数据时通过快速页切换模式来直接读取各page内资料从而大大提高读取速度96年前486时代和PENTIUM时代初期FPM DRAM被大量使用 05.EDO DRAM（ExtendedData Out DRAM延伸数据输出动态随机存取存储器） 继FPM之出现种存储器般72Pin、168Pin模块需要像FPM DRAM样存取每BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定段时间才能读写有效数据而下BIT地址必须等待次读写操作完成才能输出因此大大缩短等待输出地址时间其存取速度般比FPM模式快15%左右般应用于档下Pentium主板标准内存期486系统开始支持EDO DRAM96年期EDODRAM开始执行 06.BEDO DRAM（BurstExtended Data Out DRAM爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器） 改良型EDO DRAM由美光公司提出芯片上增加了地址计数器来追踪下地址突发式读取方式也当数据地址被送出剩下三数据每都只需要周期能读取因此次存取多组数据速度比EDO DRAM快支持BEDO DRAM内存主板谓少之又少只有极少几款提供支持（VIA APOLLO VP2）因此快被DRAM取代了 07.MDRAM（Multi-BankDRAM多插槽动态随机存取存储器） MoSys公司提出种内存规格其内部分成数类别同小储存库 (BANK)也即由数属立小单位矩阵所构成每储存库之间高于外部资料速度相互连接般应用于高速显示卡或加速卡也有少数主机板用于L2高速缓存 08.WRAM（WindowRAM窗口随机存取存储器） 韩国Samsung公司开发内存模式VRAM内存改良版同之处控制线路有、二十组输入/输出控制器并采用EDO资料存取模式,因此速度相对较快另外还提供了区块搬移功能（BitBlt）应用于专业绘图工作上 09.RDRAM（RambusDRAM高频动态随机存取存储器） Rambus公司独立设计完成种内存模式速度般达500~530MB/sDRAM10倍上使用该内存内存控制器需要作相当大改变因此们般应用于专业图形加速适配卡或者电视游戏机视频内存 10.SDRAM（SynchronousDRAM同步动态随机存取存储器） 种与CPU实现外频Clock同步内存模式般都采用168Pin内存模组工作电压3.3V 所谓clock同步指内存能够与CPU同步存取资料样取消等待周期减少数据传输延迟因此提升计算机性能和效率 11.SGRAM（SynchronousGraphics RAM同步绘图随机存取存储器） SDRAM改良版区块Block即每32bit基本存取单位别地取回或修改存取资料减少内存整体读写次数另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器并提供区块搬移功能（BitBlt）效率明显高于SDRAM 12.SB SRAM（SynchronousBurst SRAM同步爆发式静态随机存取存储器） 般SRAM非同步了适应CPU越来越快速度需要使工作时脉变得与系统同步SB SRAM产生原因 13.PB SRAM（PipelineBurst SRAM管线爆发式静态随机存取存储器） CPU外频速度迅猛提升对与其相搭配内存提出了更高要求管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成必选择因有效地延长存取时脉从而有效提高访问速度 14.DDR SDRAM（DoubleData Rate二倍速率同步动态随机存取存储器） 作SDRAM换代产品具有两大特点：其速度比SDRAM有倍提高；其二采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供数据滤波信号目前内存市场上主流模式 15.SLDRAM （SynchronizeLink同步链环动态随机存取存储器） 种扩展型SDRAM结构内存增加了更先进同步电路同时还改进了逻辑控制电路过由于技术显示投入实用难度小 16.CDRAM（CACHEDDRAM同步缓存动态随机存取存储器） 三菱电气公司首先研制专利技术DRAM芯片外部插针和内部DRAM之间插入SRAM作二级CACHE使用当前几乎所有CPU都装有级CACHE来提高效率随着CPU时钟频率成倍提高CACHE被选对系统性能产生影响会越来越大而CACHEDRAM所提供二级CACHE正好用补充CPU级CACHE之足因此能极大地提高CPU效率 17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM第二代同步双倍速率动态随机存取存储器) DDRII DDR原有SLDRAM联盟于1999年解散既有研发成与DDR整合之未来新标准DDRII详细规格目前尚未确定 18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM) 下代主流内存标准之由Rambus公司所设计发展出来所有接脚都连结共同Bus样减少控制器体积已增加资料传送效率 二、ROM(READ Only Memory只读存储器) ROM线路简单半导体电路通过掩模工艺次性制造元件正常工作情况下其代码与数据永久保存并且能够进行修改般应用于PC系统程序码、主机板上 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)等读取速度比RAM慢多 根据组成元件同ROM内存又分下五种： 1.MASK ROM（掩模型只读存储器） 制造商了大量生产ROM内存需要先制作颗有原始数据ROM或EPROM作样本再大量复制样本MASK ROM而烧录MASK ROM资料永远无法做修改成本比较低 2.PROM（ProgrammableROM编程只读存储器） 种用刻录机资料写入ROM内存只能写入次所也被称次编程只读存储器(One Time Progarmming ROMOTP-ROM)PROM出厂时存储内容全1用户根据需要其某些单元写入数据0(部分PROM出厂时数据全0则用户其部分单元写入1) 实现对其编程目 3.EPROM（ErasableProgrammable擦编程只读存储器） 种具有擦除功能擦除即进行再编程ROM内存写入前必须先把里面内容用紫外线照射IC卡上透明视窗方式来清除掉类芯片比较容易识别其封装包含有石英玻璃窗编程EPROM芯片石英玻璃窗般使用黑色干胶纸盖住 防止遭阳光直射 4.EEPROM（ElectricallyErasable Programmable电擦编程只读存储器） 功能与使用方式与EPROM样同之处清除数据方式约20V电压来进行清除另外还用电信号进行数据写入类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口 5.Flash Memory（快闪存储器） 种直接主机板上修改内容而需要IC拔下内存当电源关掉储存里面资料并会流失掉写入资料时必须先原本资料清除掉才能再写入新资料缺点写入资料速度太慢
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硬盘，光盘，软盘，移动硬盘，U盘
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